米IBM社とシンガポールChartered Semiconductor社は2008年4月、2002年11月に始動したバルクCMOS技術の共同開発に関する両社の複数年契約を22nmプロセスまで拡大すると発表した。

　バルクCMOS技術における両社の共同開発は6年目になる。Charteredは、「両社の協力体制を拡大することで、90nm、65nm、45nm、32nm、さらには22nmプロセスについても、製造ラインでのバルクCMOSの新技術の実用化が可能になるだろう」としている。

　IBMの半導体研究開発センターでバイスプレジデントを務めるGary Patton氏は、「今回の協力体制がより発展すれば、シリコン性能を改善させるような材料化学での発明のほか、共同開発した生産モデルが技術開発や設計のコスト削減を実現し、製造までに要する時間を短縮できるだろう」と述べる。

　両社の研究開発は引き続き、ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBMの300mmウェーハ対応の工場にて行われる予定である。開発したプロセスはIBMとCharteredそれぞれの製造設備に導入することが可能になるという。

　Charteredで技術開発を担当するシニアバイスプレジデントのLiang-Choo Hsia氏は、「IBMとの関係を維持してCommon Platformを利用することで、すでに検証したプロセス技術をユーザーに対して提供することができる。32nmプロセスに加え、22nmプロセスを実現することによって、今後10年間にわたってユーザーへのソリューション提供が可能になる」としている。

（Electronic News）