米国の半導体研究コンソーシアムであるSemiconductor Research Corp（SRC）は、次世代NAND型フラッシュメモリーの技術開発のために、インド工科大学（IIT）ボンベイ校および米Applied Materials社（AMAT）と提携することを明らかにした。

　SRCは、従来よりも小型化/多機能化した携帯型電子機器の実現に向けて、次世代NAND型フラッシュメモリーの研究開発を行っている。今回の提携によってこの研究開発を加速する狙いがある。

　一方、IITボンベイ校とAMATは、アリゾナ州フェニックスで開催された『International Reliability Physics Symposium』において、NAND型フラッシュメモリーに関する研究成果を発表している。それによると、NAND型フラッシュメモリーの微細化がさらに進むと、フローティングゲート構造による従来のメモリーセルでは、セル間の干渉による信頼性や寿命の問題が生じる可能性があるという。その上で両者は、セル間の干渉が生じにくい「CTF（charge trap flash）」構造が有望な技術であるとしている。CTF構造は、フローティングゲート構造の製造工程で使用していた既存の製造装置を利用することができるため、メモリーメーカーにとっても魅力的な技術であるという。

　また、トラップ層の最適化のために、異なる2つの窒化物層で構成されたトラップ層の研究開発が行われており、High-k（高誘電率）材料やメタルゲートからの置き換えが可能であることも確認されている。この新構造を採用することによって、30nmプロセス以降においても微細化が可能となり、さらなる高密度化が可能になることが期待される。

　SRCは今後、これらの技術を応用することで、次世代メモリー開発における課題を克服し、高性能な電子機器の早期実現に貢献したいと説明している。

（Electronic News）