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2007年2月号


Cover Story

45nmへ向けた 分光エリプソメトリ膜厚測定

分光エリプソメトリは膜厚モニタリングのための選ばれた技術であり、今後も65nmや45nmなどのテクノロジーノードに向け、ますます複雑になる測定技術の要求にも応えていくだろう。


Editorial

エンジニアのモチベーションはお金だけ ではない・・・ハズ

イノベーションは民間主導で生まれる

Features

ゲートドーピングと 極浅接合での プロセスばらつきを低減

メモリー技術はどこへ向かう?

積層型MRAMパッケージ向け 磁気シールド技術

Industry Watch

2006 Top Fab賞は、TIとChartered が獲得

IEDM2006レポート

“FUSI”や“HfSiON”MOSFETが生産開始間近

Movers & Shakers

Michael Fancher氏 米University at Albany, State University of New York (ニューヨーク州立大学アルバニー校)

Technology News

印刷可能な電子機器向け導電材料

コンピュータ・シミュレーションで強誘電体を解明

Cuエレクトロマイグレーションの制御

分子注入機能によって高い生産性を実現

SEZ、FEOL枚葉式洗浄装置に新型プラットフォームで参入

レチクルディスパッチの最適化でスループットを向上

3次元インテグレーションによって歩留りを改善できる可能性

45nm以降で新しいターゲットを狙う デュアルビームターゲット材料

低コストのイノベーションであふれたIMAPS

New Products

2月号 New Products

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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