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[2007年04月号]●メタルハードマスク成膜装置
Applied Endura Metal Hardmaskは、米Applied Materials社の「Versa TTN PVD」技術を搭載したメタルハードマスク成膜装置。同装置は、TiNハードマスクを成膜し、Cu配線/Low-k層間絶縁膜構造および高アスペクト比のコンタクトのパターニングに対応する。45nmおよび32nmプロセスにおける量産用に設計されており、スループットは最大毎時ウェーハ85 枚。他社装置に比べて消耗品コストは50%低くなっているとしている。
誘電率2.5以下の絶縁膜では、メタルハードマスクによるプロセスを付加することで絶縁膜の物理的ダメージを最小限に抑え、下層バリア膜の膜厚要件を緩和し実効誘電率を引き下げることが可能。TiN膜は、エッチングプロセスでの選択性が高く、パターニング積層膜の厚さを従来レジストの1/5にすることができ、膜厚の均一性と欠陥発生率は32nm ノードに適した水準を実現した。
同プロセスを同社エッチング装置「Applied Centura Enabler Etch」および「AppliedOpus AdvantEdge Metal Etch」とインテグレートすることで、ダマシン構造の各種の成膜およびエッチングプロセスで、良好な寸法均一性ならびにラインエッジと垂直形状のプロファイルが得られる。また、Low-k膜へのダメージを最小限に抑え、高い生産性を実現する。
連絡先:米Applied Materials社 www.appliedmaterials.com
誘電率2.5以下の絶縁膜では、メタルハードマスクによるプロセスを付加することで絶縁膜の物理的ダメージを最小限に抑え、下層バリア膜の膜厚要件を緩和し実効誘電率を引き下げることが可能。TiN膜は、エッチングプロセスでの選択性が高く、パターニング積層膜の厚さを従来レジストの1/5にすることができ、膜厚の均一性と欠陥発生率は32nm ノードに適した水準を実現した。
同プロセスを同社エッチング装置「Applied Centura Enabler Etch」および「AppliedOpus AdvantEdge Metal Etch」とインテグレートすることで、ダマシン構造の各種の成膜およびエッチングプロセスで、良好な寸法均一性ならびにラインエッジと垂直形状のプロファイルが得られる。また、Low-k膜へのダメージを最小限に抑え、高い生産性を実現する。
連絡先:米Applied Materials社 www.appliedmaterials.com
●ナノインプリント装置
Obducatのナノインプリント装置は、熱とUVを用いて基板前全面に一括転写する方式を採用。空気圧を利用した独自の「SoftPress」技術により、基板全面へ均一に微細パターンを転写することができる。また、温度制御と紫外線照射を同時に行う「STU(Simultaneous Thermal and UV)」技術を採用しており、基板への正確なパターン転写を実現する。さらにマスタースタンパと基板が直接接触するのを避けることが可能な「IPS(Intermediate Polymer Stamp)」技術により、スタンパの長寿命化を図るとともに、ほこりなどの異物が付着した際の転写不良を最小限に抑えるなど、歩留まりを向上させている。
今回、キヤノンMJが販売を開始するのは、量産向け装置の「Sindre」およびR&D向けのナノインプリント装置。Sindreは最大8インチ角の基板に対応、R&D向け装置は2.5~6インチ径の基板に対応している。価格はそれぞれ、Sindreが5億円から、R&D向けが2500万円~1億5000万円。
連絡先:キヤノンマーケティングジャパン canon.jp
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