Semiconductor International Japan

Cover Story

45nm世代で不可欠な歪みSi技術

Siにストレスを適用する歪みSi技術は、コスト効果の高くリスクの低い方法と組み合わせることで次世代に対応する移動度の向上と駆動電流をもたらすことができる。45nm世代では、歪みSi技術が必要不可欠な方法となりそうだ。

Editorial

新しい人の新しい時代のために

真剣に議論すべき、メモリー、SoCのプロセス技術戦略

Features

新材料導入に待った!Siのリエンジニアリングでゲートリークを減らし次世代に対応する

Robert J. Mears 米MEARS Technologies社 www.mearstechnologies.com

側壁測定技術は32nmにも通用する

歩留まり向上に寄与するロードロックチャンバの排気時間の短縮

Chris Vroman, Chris Quartaro, Marshall Randolph 米Entegris社 www.entegris.com

EMC-3Dコンソーシアム：コスト効率が高いSi貫通ビア配線の実現を目指す

Bioh Kim 米Semitool社 www.semitool.com

Industry Watch

グローバルなコラボレーションで着実に成果を上げるIMEC

Movers & Shakers

石綿　宏氏　エーエスエムエル・ジャパン　代表取締役社長

Technology News

High-k、メタルゲート、45 nmへの準備が完了

プリンストン大学、ナノインプリントの理解深める研究成果を発表

ヘイズ欠陥は解決可能な問題である(Part2)

検査測定技術の課題は何なのか

パワーエレクトロニクスの熱を克服する

Advanced Research

College of Nanoscale Science and Engineering

SIJ Opinions

10年後を見据えたSamsungの人材経営

SIJ Technical Seminar

45nmへ向けて強まる枚葉化指向克服すべき洗浄の課題について活発な議論

SEZ、FEOLでの枚葉式洗浄の課題を克服

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