Applied Centura Tetra III Advanced Reticle Etchは、ナノマニュファクチャリング技術によって45nmフォトマスクに対応した米Applied Materials社のエッチング装置。石英マスクの全面にわたってトレンチエッチを10Å以下に制御でき、CDロスを10nm以下に抑えられることができるため、重要なデバイス層に位相シフトマスクや積極的な光近接効果補正技術を利用することが可能。クロム(Cr)、石英、窒化モリブデンシリコン(MoSiON)、および次世代リソグラフィ用の各種新規材料に対応しており、実質的に欠陥ゼロの高効率エッチングを実現することができる。

連絡先：米Applied Materials社 www.appliedmaterials.com

　SIR7は、45nmに対応したエスアイアイ・ナノテクノロジーのフォトマスク欠陥修正装置。従来の65nm対応フォトマスク欠陥修正装置「SIR7000」の使い易さを継承しつつ、45nmの分解能、精度、低ダメージ化を実現、半導体先端テクノロジーズ、大日本印刷、凸版印刷、HOYAと2006年3月までに行った共同研究の成果をもとに開発された。

　同装置は、集束イオンビーム(FIB)を用いることで4nm(3σ)の修正精度を実現、低加速型イオンビーム鏡筒の採用によって高精度かつ低ダメージの修正を可能にした。また、CADリンケージ機能を採用しており、半導体レイアウト設計で用いられるEBの図形データから欠陥箇所の正常なパターンを抽出、欠陥箇所と重ね合わせることによって正常なパターンに近い形状で修正することが可能。これにより、OPCなど複雑な形状を修正する際にも忠実な形状で修正することができる。さらに、SMIF搬送機構の採用によって、SMIF Podによって運ばれてきたフォトマスクをクリーン度の高い搬送機構を通じてチャンバ内に搬送することができ、フォトマスクへのパーティクルの付着を防ぐ。本体価格は6億円。

連絡先：エスアイアイ・ナノテクノロジー www.siint.com