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Metrology and Inspection
[2007年06月号]●半導体デバイスアナライザ
MRAM、PRAM、RRAM、NAND、NORフラッシュなど、不揮発性メモリー技術の要求に対応した単体測定器で、20Vを超える電圧レベルのパルスや、立ち上がり/立ち下がりの正確な制御を行うことができる。EasyEXPERT搭載のB1500AおよびHV-SPGUを使うことで、不揮発性メモリーセルの耐久試験を従来の10倍以上、高速に行うことができる。
機能拡張によってHV-SPGUモジュールおよびアドバンストHV-SPGUモジュールに対応。両HV-SPGUは、モジュール毎に2つのチャンネルを有しており、最大5個のモジュールを搭載することが可能。両モジュールとも、20nsの立ち上がり/立下り時間、2mVの電圧分解能で、±40Vのパルスを出力することが可能となっている。
連絡先:アジレント・テクノロジー www.home.agilent.com
●半導体特性評価向け統合テストシステム
また、4200-SCS用のハードウェアオプションとして、「4205-PG2型パルスジェネレータカード」と3つのアプリケーションパッケージの販売を開始している。4205-PG2は、任意波形やパルス、セグメントARB(任意波形)機能を搭載し、複雑な波形を容易に生成する。ジェネレータは4200が1台につき4個まで搭載できる。ハードウェアに高耐久性出力リレーを採用し、フラッシュメモリーの寿命試験がほぼ無制限に可能になった。
アプリケーションパッケージには、CMOSデバイスの評価に適した「4200-PIV-A」とIII-V族デバイスなどの評価に適した「4200-PIV-Q」、フラッシュメモリーの評価に適した「4200-FLASH」がある。4200-PIV-Aは、低電流領域での分解能を改善。4200-PIV-Qは、ゲートおよびドレインにパルスを印加でき、パルス幅は500nsからDC可変できる。静止(Q)点テストが可能となるため、待機電力やオフセットを考えた実動作に近い環境でのテストが行える。4200-FLASHは、セグメントARBにより書き込み/消去サイクルが簡素化でき、これによりマルチレベルセル(多値化セル)のフラッシュメモリーテストが容易になった。
価格は、4205-PG2が133万円、4200-PIV-Aが399万4000円、4200-PIV-Qが532 万5000 円、4200-FLASHが266万2000円。
連絡先:ケースレーインスツルメンツ www.keithley.jp
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