東芝は2007年9月4日、同社四日市工場において300mm対応のNAND型フラッシュメモリー新製造ラインとなる第四製造棟（Fab4）の竣工式を行い、2007年12月から同ラインでの生産を開始すると発表した。

　同社は2006年4月、市場が急成長しているNAND型フラッシュメモリーの需要急増に対応するため、東芝四日市工場に300mmウェーハ対応の製造棟を新たに建設することで米SanDisk社と合意。2006年8月より新棟の建設を進めてきた。新棟向け設備投資のうち、建物の建設費用は東芝が負担し、内蔵装置の費用についてはSanDiskとの折半出資による合弁会社フラッシュアライアンスが負担している。

　新棟の構造は鉄骨2層5階建てで、建屋面積3万5500m²、述床面積18万m²。2008年後半には生産能力を月産8万枚まで整備する計画で、その後は市場動向に応じた設備投資を実施し、フル稼働時には月産21万枚規模まで拡大する計画である。すでに稼動しているFab1、Fab2、Fab3の合計生産枚数は月産20万枚規模（300mmウェーハ換算）で、新棟の立ち上げによって2倍ほどの生産能力を確保することになる。

　携帯電話、音楽プレーヤ、PC、メモリーカードなど、デジタル機器向けにNAND型フラッシュメモリーは需要拡大を続けている。東芝 代表執行役社長の西田厚聰氏は、新棟完成による生産能力の増強によって、「2008年にも世界市場でトップシェアを狙う」とコメントした。現在、NAND型フラッシュメモリー市場のトップは韓国Samsung Electronics社でシェア45％程度、東芝とSanDiskの陣営は同35％程度とみられる。今後両社はパートナーシップ強化や継続的な投資を実施して、市場シェア40％以上を目指す。

　製造プロセスは56nmからスタートし、2008年3月以降においては順次43nmプロセスに移行する計画である。また、多値化技術は現在主力の2bit/cellに加えて、「3bit/cellを2008年後半から導入する予定（東芝 セミコンダクター社メモリ事業部事業部長の小林清志氏）」という。今後は、3Xnmや2Xnmといった微細化技術の開発や4bit/cell技術の確立などについても推進して他社との差別化を図る戦略である。

　なお、新棟は高安定稼動をコンセプトとして、建屋全体免振構造による地震対策、高圧瞬低補償装置（MPC：Multiple Power Compensation）による瞬低対策、電源二重化による停電対策などが導入されている。これらにより、地震の揺れを1/3程度まで抑え、落雷時の製造用電力の変動を防ぐという。また、環境対策として省エネ型クリーンルームを採用、従来型クリーンルームと比べてCO₂排出量を56％削減、排水回収によって排水量を70％削減できるという。

　SanDiskの会長＆CEOであるEli Harari氏は、「Fab4の竣工は完璧なタイミング。新棟によってこれから迎えるフラッシュメモリーのグローバルな需要に応えることが可能である」とした。ただ、旺盛なフラッシュメモリー需要に対して、数年後には生産能力が追いつかなくなる恐れもあり、Fab4の次の新たな製造ラインとして、「2009年頃にはFab5を稼動できるように2007年度中に建設計画について意思決定をする方針（東芝 執行役上席常務 セミコンダクター社 社長の齋藤昇三氏）」という。