2008年4月号


Cover Story

組み込みOPCが、DUVレーザーでの 65/45nmマスク描画を可能にする

パターニング前のCD補正をマスク描画データに適用し、マスク描画データにCD補正をかけ、組み込みの近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)を適用することで、マスクのCDリニアリティや近接効果性能を向上することができる。これにより、DUVレーザーを使用して65nmや45nmプロセス向けのマスク描画が可能になる。


フォトマスク/リソグラフィ特集

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
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