米IBM社とその共同開発パートナーであるシンガポールChartered Semiconductor社、米Freescale Semiconductor社、独Infineon Technologies社、韓国Samsung Electronics社および東芝は32nm世代のゲートファーストHigh-k/メタルゲートの試作確認に成功したと発表した。

　共同開発パートナー・アライアンスの発表によると、IBMのイースト・フィッシュキル工場で製造された32nm High-k/メタルゲートを採用したデバイスは、同じ動作電圧で45nmに対し最大35％の性能改善、消費動作電圧によって30％から50％の消費電力の削減を実現したとしている。

　Charteredでバイスプレジデントを務めるWalter F. Lange氏は、High-k/メタルゲートの開発の背景として、トランジスタの性能向上における比率は伝統的なスケーリングによるものから、革新技術による性能向上へとシフトしていることを説明し、High-k/メタルゲートの利点として「一般的な高温処理が継続可能なことと、将来のスケーラビリティに有効なプロセスであること」とした。

　IBMのテクノロジー・デベロップメント担当シニアマネージャを務めるAn Steegen氏は、High-k/メタルゲートの開発の具体的な目的として「ゲートのリーク電流を1/100以下に抑えること、より高いデバイス性能と低消費電力化の達成、ゲートのスケーリング則を22nm世代まで延長すること」と述べた。また、「High-k/メタルゲートを導入するには32nmがベストなタイミングだった」との見解を示した。

　米ニューヨーク州立大学Albany校ナノスケール科学工学カレッジ（College of Nanoscale Science and Engineering）で製造されたHigh-k/メタルゲート・デバイスの実現可能性テスト結果では、このプロセスが22nmまで延長可能であり、High-k/メタルゲートの使用による改善効果は今後の世代にも継続的に利用可能であることを証明されたという。

　なお、この32nm High-k/メタルゲート・テクノロジーは早期導入を求める顧客に向けて、ハードウェア評価キットは2008年4月4日より利用が可能となっている。このプロセスを採用したシリコン製品は、2008年の第3四半期から3ヵ月毎の周期でスタートするプロタイプIP試作シャトル・プログラムを通して利用が可能になる。

（中里 拓也）