Semiconductor International Japan

Cover Story

固体ソース供給システムでハフニウム系ゲート絶縁膜を実現

High-k/メタルゲートは、ハフニウム系ゲート絶縁膜の量産を実現する新規プロセス、そして前駆体と供給方式が必要である。トランジスタ形状のスケーリングを維持するため、ALDは新規ゲート絶縁膜の使用を促進する。

Editorial

デジタルエディションがいよいよ始まります

Features

SACVD 酸化膜による電気性能の改善

極浅接合技術の傾向

SEMを使用した新しいウェーハ検査レシピ最適化方法

Expert Perspective

新しいロジックデバイスパターニングにおけるエッチングの役割

SIJ Technical Seminar

業界コンセンサスのないHigh-k 時代への突入

Profit Beyond Your Horizons

今なぜCoOなのか

Industry Perspective

韓国vs.日本という見方では読み誤るグローバル戦略

Industry News

IBMが2層グラフェンでノイズ比を抑制

Freescaleが2008年に45nmを導入

IBMが日立をアルバニーの開発エコシステムにいざなう

LuAG、その他の高屈折率液浸材料が勢いを増す

2012年に450mmウェーハ導入でIntel、Samsung、TSMCが「合意」

IP侵害により装置・材料産業が危機的状況、被害総額は40億ドルとSEMIが発表

Spansion、IBMと7年間のクロスライセンス契約を締結

DRAM市場に「ようやく」改善の兆し

New Products

6月号 New Products

SI Japan テクニカルセミナー

最新のテクニカルセミナー情報

Semiconductor International日本版
第20回テクニカルセミナー
『MEMS ルネッサンス』

最近のテクニカルセミナー情報

Semiconductor International日本版
第17回テクニカルセミナー
「SiPプロセス革命
〜SiP、TSVでイニシアチブを握れ〜」

関連記事はこちらから

セミナー一覧

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf

EVENTS

Industrial Design セミナー
－モノづくりにおける意匠設計とそのデータ活用－
2008年07月31日ー2007年07月31日
虎ノ門パストラルホテル（東京）
第19回マイクロマシン/MEMS展
2008年07月30日ー2007年08月01日
東京ビックサイト（東京）
PVJapan 2008
2008年07月30日ー2007年08月01日
東京ビックサイト（東京）

イベント一覧