米Freescale Semiconductor社は今年下半期までに、ネットワーク用チップに関して、65nm世代を飛び越して90nmプロセスから直接45nmデザインルールへ移行する、と同社CTOのLisa Su氏は語った。

　同社は2007年1月から米IBM社が主導するフィッシュキルでのアライアンスの一員として、米AMD社や米IBM社と共にSOI （Silicon on Insulator）技術を開発している。

　Freescaleは米オースティンの200mmウェーハファブで90nmのSOI製品を生産しているが、シンガポールのファウンドリChartered Semiconductor Manufacturing社と45nmプロセスの生産を始めるという。Freescale社の製品はオキシナイトライド（非High-k）ゲート酸化膜を使用する予定だ、とSu氏は付け加えた。

　「我々はネットワーク用製品で先手を打ちたいと思っていた。昨年IBMアライアンスに参加したとき、性能向上を図り顧客ニーズを満たす一番の方法として、直接45nmプロセスに移行する決断をした」と同氏は述べた。

　ネットワーキング製品では、レガシーアプリケーションをマルチコア型ネットワーキングチップ上で走らせるソフトウェアを開発する技術者が必要となるだろう。

　Su氏によると、同社の顧客は長期の評価サイクルを採用しているところが多く、高性能コンピュータ市場のように急速にノードからノードへ移行することはない、と言う。ネットワーキングの顧客は「より能力の高いものを求めているが、10〜30Wという規定のパワーエンベロープ（電力設計枠）内では、直面するパワーエンベロープに逼迫している」と同氏は述べた。

　同氏は、FreescaleはSOI技術に専念するのかと、よく尋ねられるという。「Freescaleではどの世代でもその議論を重ねており、答えは様々で、時間によっても変化する。我々にとって性能は重要であり、SOIによって電力に関する強みも得られる。また、ソフトエラー耐性もSOIにとってプラス要因である。32nm SOIプロセスへの道は明るい」と同氏は述べた。

　CharteredがFreescaleの指定SOIファウンドリだが、台湾のTSMC社とUMC社もSOIコンソーシアムに参加したという。Freescaleは45nmのプロセスフローに関してフィッシュキルでのそれにほとんど従っているが、一方で、しきい値電圧を上げ、ゲート酸化膜を若干厚くするため、SRAMセルを改造した、と同氏は述べた。

　同氏は、かつてFreescaleが様々な製品グループ内で知的財産（IP）の共有化を図ったところ、抵抗にあったことを認めつつ、今は「アライアンスの企業内で、より多くのライブラリやIPを共有している。そうすることでお互いが非常に広範囲な分野を網羅できる」と言う。「IPの共有化は難しいが、我々の設計チームが設計の差別化を図る上で資源を費やせるようになる実現技術だ」と同氏は述べた。

（David Lammers）