22nm技術世代は「Siデバイスでは決して予想しなかった課題」を持つ「驚くほどやりがいのあるノード」だろう、と米IBM Systems and Technology Groupのバイスプレジデントで最高技術責任者のBernie Meyerson氏は述べた。

　「22nm以降に向けて、我々は量子化効果、BTBT（Band-to-Band Tunneling）やその他新しい技術を得始めている」と、SiGe技術の開発における初期研究でIBMフェローに任命された同氏は述べた。

　米IBM社と日立製作所は測定技術やその他半導体関連の諸問題を共同研究すると発表した。これは日立ハイテクノロジーズ・アメリカ社の半導体装置開発を支援する狙いも一部にある。両社はこれまでも、両社顧客のハイエンドサーバー製品にプラスとなってきた、システム関連の製品や技術の交換・交流で協力してきた。今回、日立は、米ニューヨーク州立大学アルバニー校のナノスケール科学工学カレッジ（CNSE）に隣接するIBM半導体研究センターに設立中の「開発エコシステム」に参加する。

　日立とIBMの研究者は、22nm Si分析に必要な測定の課題も含め、最先端デバイスの生産に必要な基礎的物理学を理解するため、共同研究を行う予定だ。

　これらの最先端ノードで、半導体業界は、Meyerson氏が言うところの「革命的トランジスタ」に直面するだろう。EUVリソグラフィに対するニーズはおそらく最も明白な課題だが、主要な製造プロセスのすべてで大きな変化が起こるだろう、と同氏は述べた。「22nmノードでは、デバイス分析能力などシステムのあらゆる側面が重視されるだろう。我々は、リソグラフィ分野で、望ましい結果を得るため、光学系を制御する計算能力の限界を押し広げている」。

　技術的課題が広範囲に渡るため、複数の企業が研究開発資源を出し合うことが求められており、それがIBMによるニューヨーク州アルバニーとフィッシュキルを拠点としたアライアンスにつながった、と同氏は言う。「誰もが価値あるものを持ち寄るのだ。皆で結果を共有し、利用する」と同氏は述べた。

　日立は三菱電機とともに設立したルネサステクノロジにロジック生産を移管したが、今回のIBMとの協力関係は、日立の中央研究所や日立グループ内の様々なシステム企業に恩恵をもたらすだろう。より短期的なメリットとしては、日立の計測装置や半導体装置をIBMの研究活動の中で使用することになるだろう。

　「この取り組みでは、デバイスや構造を分析する最新技術に、そしてその分析を行う測定技術に焦点を当てる予定だ。両社は、技術の限界を特定し、その後、デバイス物理学を取り巻くクリティカルな問題について考察を深めるため研究を行っている。日立はアルバニーにあるIBM半導体研究センターの一員となり、開発エコシステムの一員となったのだ」とMeyerson氏は述べた。

（David Lammers）