Semiconductor International Japan

Cover Story

製造プロセスに新しい展開

High-k ゲート絶縁膜のALD（Atomic Layer Deposition）やCVD（Chemical Vapor Deposition）による成膜に適したプリカーサやメタルゲートプリカーサを見つけるために、現在さまざまな材料の性質や特性が比較されている状況だ。32nmノードでは、揮発性や供給手段、純度などの問題が重要になってくる。

Editorial

神経質になりすぎてもいけない

Features

ナノテクを牽引する計測技術

半導体工場の環境対策：進む工場の“グリーン化”

Advanced Research

原子レベルの制御が導く未来

Inside China

市況の減速は中国のIC設計業が大きくなるチャンス

Semiconductor International China

Technology News

AFMで洗浄のダメージを数値化

45nm以降に向けたMIRAIの技術

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サーマルCuピラーバンプが「冷たい」フリップチップを生み出す

Movers & Shakers

Joe Cestari 氏米ILS Technology社社長兼CEO

Industry Perspective

グローバル化で地域産業振興

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