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Cover Story
新たなリソ技術や トランジスタ構造の変化が 32nmへと導く
45nmから32nmへのプロセス技術の移行は、いくつか主要な材料の変化とリソグラフィにおける大きな変化を伴い、クリティカルレイヤーではダブルパターニングが採用されることが予想される。それらは、製造コストや特定の製品ニーズなどによって選択されることになるだろう。
SI Japan テクニカルセミナー
SI Japan RESOURCE CENTER
アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
EVENTS
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Industrial Design セミナー
－モノづくりにおける意匠設計とそのデータ活用－
2008年07月31日ー2007年07月31日
虎ノ門パストラルホテル（東京） -
第19回マイクロマシン/MEMS展
2008年07月30日ー2007年08月01日
東京ビックサイト（東京） -
PVJapan 2008
2008年07月30日ー2007年08月01日
東京ビックサイト（東京）
