> トップページ  > Technical Channels  > Material

Technical Channels Material

このページをホームページに登録

Material


NEWS

NECエレが45/40nmトランジスタの新技術を開発、 しきい値電圧の制御にHfを利用 (2008.06.27)

　NECエレクトロニクスは2008年6月、45nm/40nm世代のトランジスタ向けに、特性ばらつきを低減する新技術を開発した。トランジスタのゲート絶縁膜にHfを用いてチャネルに含まれる不純物濃度を低減しつつ、チャネル構造の最適化を図ったことなどにより、しきい値電圧のばらつきを従来に比べて18％低減す...


2010年までに太陽電池業界への投資額は半導体業界と同等レベルに ——iSuppli社が予測 (2008.06.27)

SamsungとSiltronic、300mmウェーハ合弁工場の稼働を開始 (2008.06.25)

IMEC、32nm High-k/メタルゲートプロセスの改良策を発表 (2008.06.20)

「450mmウェーハへの移行は技術的にはそれほど困難ではない」 ——IntelフェローGargini氏がコメント (2008.06.20)

東芝、Si結晶面を制御したDSB基板を採用したCMOSFETを開発 (2008.06.20)

2007年のSiウェーハ売上高、前年比22.5％増の125億ドル --Gartner社の調査結果より (2008.06.18)

Intelが太陽電池市場に参入、事業分離で新会社を設立 (2008.06.18)

カーボンナノチューブの開発/製造を加速、NanteroとSVTCが提携 (2008.06.09)

林純薬と三洋半導体製造、アルミ防食性に優れたエッチング液を共同開発 (2008.06.09)

出光興産、「ナノテク棟」の新設で電子材料分野の研究開発を強化 (2008.06.09)

NECエレクトロニクス、低抵抗Cu配線用の新Ruバリア構造を開発 (2008.06.06)

米業界団体が薄膜封止技術でフレキシブルな有機ELディスプレイ実現へ (2008.05.28)

SRC、次世代NAND型フラッシュの開発でインド工科大学およびAMATと提携 (2008.05.28)

カーボンナノチューブでアスベストと同様の健康被害？ --米国の研究プロジェクトが報告 (2008.05.28)

ARTICLES

固体ソース供給システムで ハフニウム系ゲート絶縁膜を実現 (2008.06.01)

High-k/メタルゲートは、ハフニウム系ゲート絶縁膜の量産を実現する新規プロセス、そして前駆体と供給方式が必要である。トランジスタ形状のスケーリングを維持するため、ALDは新規ゲート絶縁膜の使用を促進する。


IBMが2層グラフェンでノイズ比を抑制 (2008.06.01)

LuAG、その他の高屈折率液浸材料が勢いを増す (2008.06.01)

2012年に450mmウェーハ導入でIntel、Samsung、TSMCが「合意」 (2008.06.01)

業界コンセンサスのないHigh-k 時代への突入 (2008.06.01)

Si貫通ビア： 量産準備は完了 (2008.05.01)

3次元TSVの導入を遅らせているものは？ (2008.05.01)

高性能 SiPモジュールの 集積化 (2008.05.01)

熱・電力管理のための サーマルCu ピラーバンプ (2008.05.01)

HDP-CVD プロセスの シール材料で寿命を延ばす (2008.05.01)

NEWS一覧

このChannelの
すべてのNEWSはこちらから

CATEGORIES

SI Japan RESOURCE CENTER

アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
資料一覧を見る
この資料をダウンロード

EVENTS

イベント一覧   

 > トップページ  > Technical Channels  > Material