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NEWS
2008年1Qの製造装置出荷額、前期比7％増の105億6000万ドル ——SEMIが報告 (2008.06.25)
米SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）は2008年6月、2008年第1四半期（1Q）における世界半導体製造装置の出荷額が前期比で7％増、前年同期比で2％減の105億6000万ドルになったと発表した。
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米業界団体が薄膜封止技術でフレキシブルな有機ELディスプレイ実現へ (2008.05.28)
半導体業界の不透明感、北米半導体製造装置のBBレシオが裏付ける結果に (2008.04.28)
日立ハイテク、熊谷市のチップマウンタ新工場が完成 (2008.03.26)
ルネサス、40億円を投じて中国北京に後工程の新棟 (2008.03.25)
NECエレ、新棟を建設して車載向けパッケージを強化 (2008.03.24)
K&S、ワイヤーボンダの新製品2機種を発表 (2008.03.21)
NEC、汎用BGAをPoP化する実装技術を開発 (2008.03.04)
東京精密、SEMATECHの3次元積層プログラムに参画 (2008.02.29)
旭化成エレ、感光性ポリイミド樹脂の新工場を稼動 (2008.02.25)
日立製作所、200℃でも劣化しないPbフリーはんだ技術を開発 (2008.01.31)
日立化成工業、Cu表面処理の新技術で基本特許取得 (2008.01.22)
日立化成工業、薄型パッケージ用低熱膨張・高弾性多層材料を製品化 (2008.01.21)
日立がグループ会社を再編、アキタ電子を日立超LSIの子会社へ (2008.01.21)
日立化成工業、20億円を投じてダイボンディングフィルムを強化 (2008.01.10)
ARTICLES
Si貫通ビア： 量産準備は完了 (2008.05.01)
IDM、ファウンドリ、パッケージングハウスなどはSi貫通ビアプロセスの開発を進めている。しかし、製造コストの要求に対応するために更なる対策が必要とされているようだ。
3次元TSVの導入を遅らせているものは？ (2008.05.01)
高性能 SiPモジュールの 集積化 (2008.05.01)
熱・電力管理のための サーマルCu ピラーバンプ (2008.05.01)
成功への秘訣： ウェーハレベルのはんだボール搭載法 (2008.03.01)
マルチコアLSIの低消費電力化技術 (2008.03.01)
200℃でも劣化しないPbフリーはんだ技術 (2008.03.01)
高密度配線基板を実現するCu表面処理技術 (2008.03.01)
TFTのCu配線プロセス向け合金ターゲット (2008.03.01)
絶縁被覆した規則配列ナノワイヤー、分子メモリー実現に期待 (2008.03.01)
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「32nmを描くリソグラフィの選択肢
〜Double Patterningか？直描か？」
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金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
JPN-ArcSputmetal-270-01.pdf
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