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Semiconductor International 日本版
第19回テクニカルセミナー
『32nmを描くリソグラフィの選択肢〜Double Patteringか？直描か？』
関連記事

　「32nmはダブルパターニング」という見方が定着してきた。しかし、量産ラインへの導入に向けて、ダブルパターニング法が克服すべき課題は多い。高精度なオーバーレイ制御は達成できるか、信頼できるレジスト材料はあるのか、スループットへの懸念など障壁は高い。
　NGLへの期待という観点で見ると、ナノインプリント技術やEB描画技術といった直接描画技術への注目が増している。量産対応技術としては疑問視する向きも多いが、コスト高騰の懸念が尽きない光リソグラフィに対し、コスト面のメリットは大きな魅力だ。


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第19回テクニカルセミナー関連記事のご紹介

ダブルパターニングのエッチング課題に挑む

32nm以降のプロセス技術を実現するため、ArFからEUVへのリソグラフィのブリッジ技術のひとつとして、ダブルパターニング法が注目されている。 続きはこちらから

デザインを制限しダブルパターニングを可能にする

　次世代リソグラフィ技術として、かつてはF2（157nm）やAr2（126nm）が採用されると考えられた。EUV（13.5nm）リソグラフィも今の予測よりも早期に導入されるとみられていた。しかし、今やArF（193nm）がこれからの数世代にわたって使用されることは間違いないだろう。米Texas Instruments（TI）社Design Data Integration部門ディレクタのMark Mason氏はこう述べる。「そのため、マスクへの圧力が高まるだろう。事実、解像技術を向上させてきた歴史において、我々はマスクに圧力をかけながら進んできた」。 続きはこちらから

ダブルパターニングで液浸リソグラフィの延命を図る

高開口数(NA)の液浸リソグラフィが思ったより期待できない現状で、半導体業界は、ダブルパターニングがウェーハ・ベースの光リソグラフィを延命する方策になるとして、この話題で騒然としている。 続きはこちらから

新たな測定手法でダブルパターニングのCD均一性を改善

EUVリソグラフィ技術の開発が遅れていることもあり、半導体業界で注目されつつあるダブルパターニングであるが、量産ラインなどへの導入に向けてはオーバーレイなどが技術的な課題として挙げられている。 続きはこちらから

ナノインプリントがHDDとCMOSの性能を向上させる

　露光波長以下のパターンを形成するディープサブ波長リソグラフィへの移行に伴い、半導体製造プロセスには技術的、経済的に新しい障壁が立ちはだかっている。従来のプロセス技術では、製造と設計は独立しており、コンタミネーションの削減と、プロセス制御による各プロセスモジュール(リソグラフィ、成膜、エッチング)の効率化におおかたの焦点が当てられてきた。今、それらに加えてプロセスと設計を平行して最適化する努力が必要となっている。続きはこちらから

プリンストン大学、ナノインプリントの理解深める研究成果を発表

Nanotechnology誌に掲載された最近の2つの論文において、米プリンストン大学の研究者は、半導体製造での次世代リソグラフィ(NGL)のオプションとしてのナノインプリントリソグラフィ(NIL)の重要な発表をした。続きはこちらから

ナノインプリントにも利用できる速乾性ポリマー

米Rensselaer工科大（Rensselaer Polytechnic Institute）は、米Polyset Company社と共同で、半導体製造およびパッケージングにおけるコスト削減を可能にする低価格の速乾性ポリマーを新たに開発したと発表した。
続きはこちらから

液浸、EUVとは異なったリソグラフィ技術の潮流
次世代リソグラフィ技術の開発では、Intelは引き続きEUVリソグラフィ技術開発を推進し、開発を加速させている。ISMTに加えて、米Albany Nanotech、ベルギーIMEC、日本のEUVAもEUVの開発を進めている。
続きはこちらから

EUV以外の選択肢

日本でEUVリソグラフィ（13.5nm）の光源開発を進める極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）の活動が今年度（2008年3月）で終了する。
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