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Material News 2007


Material News 2007

富士通研、抵抗値のばらつきを抑制した高速低消費電力ReRAMを開発 (2007.12.19)

IMEC、プレーナ型CMOSやfinFETに応用可能なHigh-k技術を開発 (2007.12.19)

オムロン、200mmウェーハ対応のMEMS一貫ラインを新設 (2007.12.17)

TSMC、High-k/メタルゲートを使わない32nmプロセスを開発 (2007.12.13)

富士通ら、32nm以降のLSI向け多層配線技術を開発 (2007.12.13)

JSRとIBM、次世代半導体プロセスの共同研究契約を締結 (2007.12.12)

東芝、10nm世代に対応可能な2重接合トンネル膜を開発 (2007.12.12)

JSR、四日市研究センターにArF液浸露光装置を導入 (2007.12.10)

日立化成、CMPスラリー生産能力の50％増強の年間約1万5000トンに拡大 (2007.11.30)

プラスチックパッケージ材料市場が2011年までに202億ドルに到達、SEMIが予測 (2007.11.30)

産総研がスピン注入トルクの直接測定に成功、次世代MRAMの開発促進に期待 (2007.11.27)

エム･エフエスアイ、「アプリシアテクノロジー」に社名変更 (2007.11.20)

FormFactor、バーンインテスト用ワンタッチダウン対応300mmウェーハプローブを発表 (2007.11.07)

理化学研究所、高温超電導状態の電子波の可視化に成功 (2007.11.07)

2007年3QのSiウェーハ出荷面積は横ばい (2007.11.07)

IBM、廃棄ウェーハを太陽光発電用に再生する技術を確立 (2007.11.02)

住友化学、ArFレジストの評価装置を導入して生産体制も強化 (2007.11.02)

日鉱金属、プロセス開発向けの450mmテストウェーハを開発 (2007.11.01)

宇部マテリアルズ、低コストのCMP廃水リサイクルを実現 (2007.10.31)

2007年のSiウェーハの出荷面積は前年比9％増、SEMIが予測 (2007.10.11)

広島大や東大ら、強誘電体メモリー材料BLTの高耐久性を解明　 (2007.10.05)

チッソ、インクジェット対応の光硬化性インクを開発 (2007.09.28)

出光興産、フォトレジスト原料の自社生産を開始 (2007.09.28)

SUMCO、米国での低欠陥Siウェーハに関する特許訴訟で勝訴 (2007.09.27)

新日本テクノカーボン、特殊炭素製品の生産ラインを新設　 (2007.09.12)

SUMCO、太陽光発電用Siウェーハの新工場を建設 (2007.09.12)

SUMCO TECHXIV、台湾子会社の300mmウェーハ生産体制を増強 (2007.08.31)

Rohm and Haasと韓国SKC、FPD事業に関する合弁会社を設立 (2007.08.16)

ラサ工業、Siウェーハ再生設備の新工場棟を建設 (2007.07.24)

新日鉄、低欠陥化を実現したSiC単結晶100mmウェーハを開発 (2007.06.08)

松下電工、狭幅で高絶縁信頼性のパッケージ基板用材料を開発 (2007.05.29)

旭硝子、高周波デバイス向けのフッ素系Low-k絶縁材料を量産化 (2007.04.26)

日立電線、約60億円を投じてCu条製造設備を増強 (2007.04.24)

Semiconductor Insights、Intel、AMDやその他65nmデバイスのゲート絶縁膜の違いを分析 (2007.03.19)

信越化学と凸版印刷、45nm、32nm対応フォトマスクブランクスを共同開発 (2007.03.09)

SCHOTT KURAMOTO、大型TFT-LCD用ガラス基板の後加工生産工場の稼動を開始 (2007.03.09)

Electronic Newsから： 中国版RoHS指令が施行に　(その3) (2007.03.06)

Electronic Newsから： 中国版RoHS指令が施行に　(その4) (2007.03.06)

Electronic Newsから： 「勝ち組」と「負け組」　(その2) (2007.03.05)

昭和電工、高品質の窒化物半導体結晶の新製造法と最高出力の青色LEDを開発 (2007.02.23)

IMEC、バイオメディカル向け磁性ナノパーティクルを開発 (2007.02.23)

昭和電工、りん発光材料の有機EL素子で世界最高水準の外部量子効率を達成 (2007.02.15)

Siウェーハ出荷面積は5年連続で成長、SEMI調べ (2007.02.14)

産総研、単層カーボンナノチューブの安価な大量合成法を開発 (2007.02.13)

旭化成電子、化合物半導体の新工場で量産稼動を開始 (2007.01.05)

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金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
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