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Wafer Processing News 2007


Wafer Processing News 2007

富士通研、抵抗値のばらつきを抑制した高速低消費電力ReRAMを開発 (2007.12.19)

東芝とIBM、32nm CMOSプロセス技術の共同開発で合意 (2007.12.19)

IMEC、プレーナ型CMOSやfinFETに応用可能なHigh-k技術を開発 (2007.12.19)

オムロン、200mmウェーハ対応のMEMS一貫ラインを新設 (2007.12.17)

TSMC、High-k/メタルゲートを使わない32nmプロセスを開発 (2007.12.13)

富士通ら、32nm以降のLSI向け多層配線技術を開発 (2007.12.13)

JSRとIBM、次世代半導体プロセスの共同研究契約を締結 (2007.12.12)

SMIC、上海初の300mm工場「Fab 8」での生産を開始 (2007.12.12)

IBMら、32nm向けHigh-k/メタルゲート技術を発表 (2007.12.12)

東芝、10nm世代に対応可能な2重接合トンネル膜を開発 (2007.12.12)

NEC、電子線ホログラフィを応用して極浅接合を可視化 (2007.12.11)

Lam ResearchがSEZを買収、買収額は5億6800万ドル (2007.12.11)

JSR、四日市研究センターにArF液浸露光装置を導入 (2007.12.10)

Axcelis、枚葉式の高エネルギーイオン注入装置を発表 (2007.12.03)

ギガフォトン、90Wの出力を実現したArFエキシマレーザーを発表 (2007.12.03)

ISSCC2008で日本からの論文採択数が“復活” (2007.12.03)

HynixのDRAM関税問題で、WTOは韓国側を支持 (2007.12.03)

日立化成、CMPスラリー生産能力の50％増強の年間約1万5000トンに拡大 (2007.11.30)

ASM Internationalと日立国際電気、ALD技術関連のライセンス契約を締結 (2007.11.29)

Advanced Energy、新型RF電源供給システムをSEMICON Japanに出展 (2007.11.29)

2007年の顧客満足度で五つ星の半導体製造装置メーカー、VLSIが発表 (2007.11.28)

産総研がスピン注入トルクの直接測定に成功、次世代MRAMの開発促進に期待 (2007.11.27)

東芝とNECエレ、32nmプロセス技術の共同開発で合意 (2007.11.27)

レーザーテック、貫通電極エッチング深さ検査装置を発表 (2007.11.27)

AMAT、伊Bacciniの買収で単結晶Si太陽電池の事業を拡大 (2007.11.26)

レーザーテック、45nm以降に対応したパターン付きウェーハ反り/ストレス検査装置を発表 (2007.11.21)

エム･エフエスアイ、「アプリシアテクノロジー」に社名変更 (2007.11.20)

NECエレ、NEC山形にて40nmプロセスのLSIを生産 (2007.11.19)

AMAT、2007年の売上高は97億3000万ドルで過去最高 (2007.11.19)

NECエレ、40nm DRAM混載システムLSIのプロセス技術を開発 (2007.11.19)

工場の生産性向上のため、エルピーダがAMATと5年間のサービス契約を締結 (2007.11.19)

SICAS、2007年第3四半期の世界半導体生産能力・稼働率を発表 (2007.11.16)

キヤノンがトッキを連結子会社へ、有機ELの開発を加速 (2007.11.14)

東京エレクトロン、SEMATECHの3次元積層プログラムに参加 (2007.11.08)

東芝、垂直磁化方式のMTJ素子を初動作 ギガビット級MRAM実現の第一歩 (2007.11.07)

日鉱金属、プロセス開発向けの450mmテストウェーハを開発 (2007.11.01)

Intel、45nmプロセス対応の量産施設「Fab32」の稼動を開始 (2007.10.30)

UMCとエルピーダ、Cu/Low-k技術によるメモリー共同開発プログラムに合意 (2007.10.24)

TDKと半導体エネルギー研究所、フレキシブルRFIDを共同開発 (2007.09.28)

Spansionの300mmラインが稼働、65nmプロセスでNOR型フラッシュの量産を開始 (2007.09.25)

Intel、IDFにて32nmプロセスの半導体チップを公開 (2007.09.25)

産総研、finFETを用いた新方式のSRAM回路を発表 (2007.09.18)

TSMCのTsai氏、「45nmの量産、32nmの研究開発は順調」 (2007.09.12)

NIMS、複数サンプルのプロセスを自動化した成膜装置を開発 (2007.09.11)

東芝、第四製造棟の竣工でNAND型フラッシュの生産を加速 (2007.09.05)

奈良先端大の研究グループらが二層Si薄膜の同時結晶化に成功　 (2007.08.31)

NIMSと三菱ガス化学、LPE法による大面積ZnOウェーハ製造技術を開発 (2007.08.30)

精工技研、SiCウェーハ研磨加工の量産化技術を確立 (2007.08.30)

デバイスごとに異なる動向を見せる2007年マイクロコンポーネント市場 (2007.08.29)

TSMCがVanguardへの出資比率を引き上げ (2007.08.29)

NEC、マルチコアLSIの低電力化技術を開発 (2007.08.28)

TSMCが0.13μm組み込みフラッシュの生産を開始 (2007.08.24)

IBMとTDK、スピン注入磁化反転法を適用したMRAMを共同で開発 (2007.08.20)

波紋を広げるSTのInfineon買収の噂話 (2007.08.16)

Samsung、器興工場の停電で生産ラインの一部が停止 (2007.08.07)

IBMとST、次世代プロセスの技術開発で協業 (2007.07.25)

VLSI Research、2007年の製造装置メーカー顧客満足度ベスト10を発表 (2007.07.03)

iSuppli、2007年の半導体市場についてやや楽観的な見方 (2007.06.27)

米SunPower社がトップ、 エレクトロニクス業界の小規模企業ベスト30 (2007.06.26)

富士通研究所、GaN高電子移動度トランジスタの高信頼性技術を開発 (2007.06.25)

大日本スクリーン、省スペースかつ高生産性を実現した枚葉式洗浄装置を開発 (2007.06.25)

松下電器、45nmプロセスでのシステムLSIの量産開始を発表 (2007.06.20)

産総研がAu電極での抵抗スイッチを開発、超小型不揮発性メモリー実現に期待 (2007.06.20)

富士通研究所と富士通、45nmLSI向け低消費電力・高性能化技術を開発 (2007.06.19)

ルネサス、32nm以降のSRAM実現に向けた動作マージン拡大技術を開発 (2007.06.13)

東芝、三次元構造を採用したNAND型フラッシュメモリー技術を開発 (2007.06.13)

京大ら、複数枚SiCウェーハの一括処理技術を共同開発 (2007.06.13)

ソニー、熊本テックに投資してCMOSセンサーの生産能力を増強 (2007.06.06)

NEC、微細Cu配線の低抵抗化を実現する配線材料技術を開発 (2007.06.05)

AMAT、Low-kバリア膜形成装置の新製品を発表 (2007.06.05)

VLSI Research、2006年装置サブシステムの上位10社を発表、Carl Zeissが首位、BOC、MKSが続く順位は変わらず、日本からは荏原が9位、堀場が10位にランクイン (2007.05.30)

キヤノン、SEDテレビの発売を当面の間見送ると発表 (2007.05.29)

Hynix、IMECの32nm以降のCMOS研究開発プログラムに参加 (2007.05.28)

IBM、Chartered、Samsungら5社、32nmのプロセス開発で提携 (2007.05.25)

Chartered、300mmウェーハ工場向けに6億1000万ドルの追加融資を確保 (2007.05.23)

AMAT、45nmトランジスタを高速化する歪み技術を発表 (2007.05.21)

ニコン、CMP装置の生産・販売を終了すると発表 (2007.05.16)

Samsung、特許侵害でルネサス テクノロジを提訴 (2007.05.11)

自己組織化によるエアギャップ構造の絶縁膜形成を実現 (2007.05.10)

Hynix Semiconductor、300mm対応の前工程工場の建設を開始 (2007.05.01)

デンソー、北海道千歳市に車載用半導体製造の新会社を設立 (2007.04.27)

IntelとMicron、 50nmプロセスMLCのNAND型フラッシュをサンプル出荷 (2007.04.27)

VLSI Research、 2006年の半導体製造装置メーカー売上高トップ10を発表 (2007.04.27)

AMAT、45nmフォトマスク用のエッチング装置を発表 (2007.04.23)

ナノチューブにより、Cuと同等の放熱効率を実現 (2007.04.19)

SIIナノテク、45nm対応のフォトマスク欠陥修正装置を発売 (2007.04.18)

KLA-TencorとClear Shape、 45nmの歩留まりの向上に向けて協業 (2007.04.17)

東芝、1nmの精度解析を実現したSSRM技術を開発 (2007.04.17)

IBM、三次元チップ積層を実現する新しい貫通電極技術を開発 (2007.04.16)

TSMC、2007年9月にも45nmプロセス製品の生産を開始 (2007.04.11)

Anadigics社、中国にGaAs工場を建設 (2007.04.10)

大日本スクリーン製造、 半導体製造プロセスの開発拠点を建設 (2007.04.05)

富士通、LSI前工程製造子会社の事業を開始 (2007.04.03)

Intel、45nmプロセス「Nehalem」製品を2008年に生産開始 (2007.04.03)

Infineon、インドHSMC社に 130nm CMOSプロセス技術のライセンスを提供 (2007.04.03)

オムロン セミコンダクターズが操業を開始 (2007.04.03)

Rohm and Haas社、 ハーバード大学のALD技術をライセンス契約 (2007.03.30)

TSMC、55nmプロセス技術の提供開始を発表 (2007.03.29)

AMD社とChartered社、65nmプロセスのパイロット生産を開始 (2007.03.26)

奈良先端大と松下電器、バイオを利用した短時間Si薄膜作製技術を共同開発 (2007.03.26)

Novellus社、薄膜プロセスの生産性を高める新型PECVDを発表 (2007.03.23)

Aviza Technology社、中国SMICからSigma fxP PVDを受注 (2007.03.22)

MicronがNAND型フラッシュの増産を加速、シンガポールの300mm工場を6カ月前倒しで稼働 (2007.03.19)

Semiconductor Insights、Intel、AMDやその他65nmデバイスのゲート絶縁膜の違いを分析 (2007.03.19)

TIとRamtronが130nmプロセスのFRAM製造に着手 (2007.03.16)

Intel、中国大連で半導体前工程の新工場建設に25億ドルを投資 (2007.03.15)

IBMがCell BEプロセッサの65nmでの生産を発表 (2007.03.15)

Intel、2010年に400億米ドルの不揮発性メモリー市場へ向けた方策を明らかに (2007.03.12)

単電子トランジスタの開発が飛躍的に進歩、マンチェスター大学が研究成果を明らかに (2007.03.09)

中国AMEC、QUALCOMMとSamsungから投資を受け増資を完了 (2007.03.09)

ASML、米Brion Technologies社の買収を完了 (2007.03.09)

TSMCとNvidia、65nm混載DRAMの製造に成功 (2007.03.08)

JSR、液浸リソ用の高屈折率液体を開発、屈折率は1.64を達成 (2007.03.08)

AMAT、Ultra Low-k 絶縁膜対応のメタルハードマスク技術を発表 (2007.03.06)

2006年4QのMOS IC生産稼働率、3Q比1.9ポイント下降 (2007.03.06)

IBM、年内に45nm液浸プロセスによる量産開始 (2007.02.27)

Intelが「Xeon」の45nmプロセスでの製造を前倒し (2007.02.26)

昭和電工、高品質の窒化物半導体結晶の新製造法と最高出力の青色LEDを開発 (2007.02.23)

「自動車とデジタル民生機器向け製品に集中」 ——NECエレの構造改革 (2007.02.23)

エルピーダが200mm対応装置群を中国ファウンドリに譲渡 (2007.02.20)

東芝など3社、電解硫酸によるレジスト除去を実用化 (2007.02.20)

AMATが2007年Q1の業績を発表、売上高は前年同期比22.6％増 (2007.02.19)

キヤノンMJ、Obducat社と ナノインプリント装置の独占販売契約を締結 (2007.02.15)

日立、0.05mm角の非接触型粉末ICチップの動作確認に成功 (2007.02.15)

IntelとIBM、45nmプロセスにHf系材料のHigh-kゲート絶縁膜を採用し量産 (2007.02.13)

TSMC、インドのバンガロールにオフィスを開設 (2007.02.06)

ギガフォトン、新クリーンルームの稼動で生産能力を増強 (2007.02.01)

アルバック、小規模生産用の超高真空スパッタ装置を製品化 (2007.02.01)

富士通とエプソン、次世代FRAMにおける共同開発の成果を発表 (2007.01.30)

TELとSEMATECH、 3Dインターコネクト技術などで共同開発プログラム (2007.01.29)

Electronic Newsから： Freescale社、IBM社と提携して「Common Platform」に将来を託す (2007.01.26)

Qimonda社とOvonyx社、PCRAM技術に関する長期的クロスライセンス契約を締結 (2007.01.23)

NEC エレクトロニクス、55nmセルベースICの受注を開始 (2007.01.19)

ルネサス、台湾PSC社とメモリー設計の合弁会社を設立 (2007.01.16)

東京エレクトロン、GCIB技術を有する米Epion社を買収 (2007.01.11)

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アドバンスドエナジージャパン株式会社
金属材料のマグネトロンスパッタリングにおけるアーク抑制
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