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TEL、300mmウェーハ対応レジスト塗布現像装置の高生産性モデル 「CLEAN TRACK LITHIUS Pro V」を発表 (2008.07.08)

　東京エレクトロンは、300mmウェーハ対応レジスト塗布現像装置「CLEAN TRACK LITHIUS」シリーズの最新機種「CLEAN TRACK LITHIUS Pro V」を発表した。

　既存機種のスループットおよびOEE（Overall Equipment Efficien...


オムロンが半導体子会社の吸収合併を完了、 MEMS/半導体の生産ラインを統合 (2008.07.08)

NECエレが45/40nmトランジスタの新技術を開発、 しきい値電圧の制御にHfを利用 (2008.06.27)

2008年1Qの製造装置出荷額、前期比7％増の105億6000万ドル ——SEMIが報告 (2008.06.25)

ファンドも参入、AMATとFrancisco PartnersがASMI買収に動く、 ASMIはこれを拒否 (2008.06.23)

IMEC、32nm High-k/メタルゲートプロセスの改良策を発表 (2008.06.20)

「450mmウェーハへの移行は技術的にはそれほど困難ではない」 ——IntelフェローGargini氏がコメント (2008.06.20)

東芝、Si結晶面を制御したDSB基板を採用したCMOSFETを開発 (2008.06.20)

AMATはあきらめない、 ASMI監督委員会の決定に対し提案継続を発表 (2008.06.18)

ALD/PECVD事業売却の意思なし、 ASMがAMATの買収提案に回答 (2008.06.14)

AMAT、ASMの成膜装置事業の獲得に4～5億ドルを提示 (2008.06.10)

Intelの影！？ AMATによるASMI成膜事業の買収提案 (2008.06.10)

Novellus、性能重視とスループット重視の最新型アッシング装置2機種を発表 (2008.06.09)

NECエレクトロニクス、低抵抗Cu配線用の新Ruバリア構造を開発 (2008.06.06)

SRC、次世代NAND型フラッシュの開発でインド工科大学およびAMATと提携 (2008.05.28)

ARTICLES

固体ソース供給システムで ハフニウム系ゲート絶縁膜を実現 (2008.06.01)

High-k/メタルゲートは、ハフニウム系ゲート絶縁膜の量産を実現する新規プロセス、そして前駆体と供給方式が必要である。トランジスタ形状のスケーリングを維持するため、ALDは新規ゲート絶縁膜の使用を促進する。


新しいロジックデバイスパターニングにおけるエッチングの役割 (2008.06.01)

SACVD 酸化膜による 電気性能の改善 (2008.06.01)

極浅 接合技術の傾向 (2008.06.01)

Freescaleが2008年に45nmを導入 (2008.06.01)

Si貫通ビア： 量産準備は完了 (2008.05.01)

高性能 SiPモジュールの 集積化 (2008.05.01)

HDP-CVD プロセスの シール材料で寿命を延ばす (2008.05.01)

TIが45nmトランジスタの接合部を進歩させる (2008.05.01)

デバイスのニーズを満たすための3次元分析が進歩している (2008.05.01)

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