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バッチ式縦型熱処理と90nm技術ノード以降の
アプリケーション向けのBTBASを使用したシリコン窒化膜
シリコン窒化膜及び低圧化学気相成長（LPCVD）技術は何十年もの間半導体プロセスの重要な一分野となっています。これらの技術は両方とも進化を続け、ULSI製造の増大の一途を辿る需要と要求に適合してきました。今日のアプリケーションの新たな難題に対応するために、装置、プロセス、及び材料（薬品）は、当初から大きな進歩を遂げてきました。この論文では、縦型熱処理システムでのシリコン窒化膜の成膜について、クロスフロー・ガス・ディストリビューション・システムに焦点を当てて発表します。
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